아남반도체, 반도체 초미세회로선폭 기술 개발

아남반도체는 비메모리 반도체 생산에 적용되는 0.18미크론m(1미크론m은
1백만분의 1m)의 초미세 회로선폭 기술을 개발했다고 14일 발표했다.

아남은 이 기술을 오는 3월부터 통신장비에 들어가는 신호처리반도체인
DSP의 핵심 부품인 CMOS 로직(상보형 금속산화반도체)생산에 적용할
계획이다.

미국 텍사스 인스트루먼트와 공동 개발한 이 기술은 회로선폭이 기존기술
(0.25미크론m)보다 0.07미크론m이나 좁아 8인치 웨이퍼 한장당 칩 생산개수를
2.5배 이상 늘릴수 있는 장점이 있다.

또 동작속도가 5백MHz 이상이고 최대 3천만개 이상의 로직 게이트를
집적할수 있어 칩의 초고집적화가 가능하다고 회사측은 밝혔다.

아남은 최근 통신시장이 급속히 확대되고 있어 이번 기술개발로 연간
3억달러(약 3천5백억원)의 매출을 추가할 수 있을 것으로 예상했다.

아남 관계자는 "비메모리반도체 회로 기술은 그동안 대만의 TSMC가 앞서
있었다"며 "그러나 이번 기술 개발로 대만 업체를 제치고 통신용 비메모리
반도체 칩 제조기술을 선도할수 있게 됐다"고 설명했다.

아남은 이번 기술 개발에 모두 2백30억원을 투자했다.

< 박주병 기자 jbpark@ >

( 한 국 경 제 신 문 1999년 1월 15일자 ).