현대전자는 회로선폭이 0.16미크론m(1미크론m은 1백만분의 1m)인 2세대
2백56메가 싱크로너스 D램(SD램)을 개발했다고 30일 발표했다.

2세대 2백56메가 D램은 1세대(0.18미크론m)에 비해 회로선폭이 좁기 때문에
웨이퍼 한장당 칩 생산량이 25%이상 늘어난다.

따라서 제조 원가는 20%정도 낮아져 그만큼 가격경쟁력이 높다는 설명이다.

현대전자는 2세대 2백56메가 D램을 오는 4.4분기에 샘플 형태로 생산하고
내년 상반기부터 양산할 계획이다.

1세대 2백56메가 D램은 오는 5월부터 양산에 들어간다.

현대는 자체 개발한 IMC(Inner MPS cylinder)기술을 적용, 2세대 2백56메가
D램을 개발했다.

IMC기술은 I자형을 기본으로한 집적구조에 홀을 형성, 메모리의 구성요소인
셀 구조를 개선함으로써 칩 크기를 35% 줄이고 전하저장 유효면적을 최대 40%
증대시키는 방식이다.

현대는 IMC 기술을 개발하는 과정에서 20여건의 특허를 미국 일본 등 주요국
에 등록했다.

현대는 IMC 기술을 2백56메가 SD램 외에 현재 생산중인 64메가 SD램,
1백28메가 SD램, DDR SD램 등에도 적용, 제조원가를 낮춰 나갈 계획이다.

현재 대부분의 반도체 업체들은 T자형의 집적구조를 사용하고 있는데
이 기술은 제조공정이 안정된 반면 칩 크기 축소에 한계가 있는 것으로
알려졌다.

이 회사 김세정 전무(메모리개발연구소장)는 "이번에 개발한 IMC기술은
기존의 64메가D램 생산 장비를 대부분 그대로 사용할 수 잇점도 있다"며
앞으로 낮은 제조원가로 2백56메가 D램 시장을 주도해 나갈 것이라고 말했다.

현대는 지난해 11월 당시 세계 최소형으로 개발한 0.18미크론m급의 1세대
2백56메가 D램은 오는 5월부터 양산, 올해 1억달러의 매출을 올릴 계획이라고
밝혔다.

< 박주병 기자 jbpark@ >

( 한 국 경 제 신 문 1999년 3월 31일자 ).