현대전자는 6일 최신규격의 차세대 고속 메모리 반도체인 1백28메가 DDR
(Double Data Rate)싱크로너스 D램 샘플을 세계 처음 출하했다고 발표했다.

이 반도체는 미국 전자업체및 반도체업체들이 참가한 반도체 규격 민간 국
제표준화기구(JEDEC)가 정한 최신규격인 PC266A(CL2)를 만족시키는 제품이
다.

PC266A 규격은 1초에 핀당 2백66메가 비트이상의 데이터를 전송할수 있는
것으로 기존 싱크로너스 D램보다 속도가 2배이상 빠르다.

현대측은 이 반도체의 회로선폭이 0.22미크론(1미크론은 1백만분의 1m),
소비전압은 2.5V에 불과하고 데이터 전송속도가 빨라 PC서버 고성능 워크
스테이션 등 대용량 메모리를 필요로 하는 제품에 적합하다고 설명했다.

현대는 올해초 64메가 DDR 싱크로너스 D램 칩과 모듈을 개발, 미국 IBM
휴렛팩커드사 등에 공급해 품질의 우수성을 인정받아 이 제품 공급업체로
지정된 이후 3개월만에 1백28메가 DDR 싱크로너스 D램 샘플을 선보이게 돼
이 시장에서 선두업체로 부상할수 있게 됐다.

현대는 올 3.4분기부터 1백28메가 DDR 싱크로너스 D램 양산에 들어가 기존
64메가 DDR 싱크로너스 D램과 함께 이 분야에서 올해 2천만달러, 내년 3억
달러의 매출을 올릴 계획이다.

DDR 싱크로너스 D램은 현대전자를 비롯 삼성전자 후지쓰 등 세계 주요 반
도체업체가 합의한 차세대 고속D램으로 기존 싱크로너스 D램과 동일한 패키
지및 공정을 사용함으로써 추가 설비투자없이 제품 생산이 가능할 뿐 아니
라 메인프레임 워크스테이션외에 그래픽 처리용으로 주목받고 있는 차세대
메모리다.

강현철 기자 hckang@

( 한 국 경 제 신 문 1999년 6월 7일자 ).