반도체장비 개발업체인 주성엔지니어링은 삼성전자와 공동으로 "실리콘
선택적 에피박막 성장공정과 장비"를 개발했다고 17일 밝혔다.

1천5백만달러가 들어간 이번 개발에서 주성은 장비부분, 삼성전자는
공정부분을 맡았다.

에피박막 성장공정이란 웨이퍼 위에 얇은 막을 입히는 반도체 제조공정
가운데 하나다.

지금까지 이 공정은 웨이퍼 전체에 막을 형성시키는 게 일반적이었다.

반면 주성과 삼성이 개발한 선택적 공정기술은 웨이퍼의 일부분에 원하는
만큼 막을 입힐 수 있는 차세대 기술로 꼽히고 있다.

특히 반도체 설계에서 다양한 기능을 실현할 수 있으며 비메모리 반도체
생산부문에서 많은 수요가 예상된다고 회사측은 설명했다.

< 정한영 기자 chy@ked.co.kr >

( 한 국 경 제 신 문 1999년 11월 18일자 ).