삼성전자와 현대전자가 차세대 반도체용 미세회로 기술 개발을 위한 치열한
경합을 벌이고 있다.

누가 얼마나 회로선폭을 좁게 하느냐는 차세대 고집적 반도체 개발의 필수
기술로 향후 반도체 업체들의 생존을 좌우할 것으로 보인다.

삼성전자의 경우 현재 기가급 D램에 적용할수 있는 0.13미크론m(미크론,
1미크론은 1백만분의 1m) 회로기술까지 개발한 상태다.

경기도 화성에 짓고 있는 반도체 10번째 라인엔 0.15미크론m의 회로를 만들
수 있는 장비가 설치된다.

내년엔 0.12미크론m, 2001년엔 0.1미크론m 기술을 개발한다는 목표다.

0.1미크론m은 사람 머리카락 굵기의 1천분의 1 수준이다.

삼성은 0.1미크론m 이하 미세회로기술 개발을 위해 미 루슨트 테크놀로지,
이플라이드 머티어리얼스 등 세계적 반도체 장비업체들과 "스칼펠"이란
컨소시엄을 구축해 공동 개발중이다.

현대전자는 최근 2세대 2백56메가 D램에 적용되는 0.15미크론m의 초미세
공정기술을 개발했다.

IMC라 불리는 이 기술은 I자형을 기본으로 한 집적 구조에 홀을 형성,
메모리 구성요소인 셀 구조를 개선함으로써 칩 크기를 크게 줄인 것이다.

현대는 또 2백56메가 D램, 1기가 D램에 적용할수 있는 탄탈륨 산화막을
이용한 캐패시터(축전기) 제조기술도 최근 개발했다.

김세정 현대전자 메모리연구소장은 "IMC기술과 탄탈륨 산화막 축전기 기술은
기존장비를 활용할수 있어 별도의 큰 투자없이도 생산에 적용가능한게 특징"
이라고 설명했다.

현대전자는 내년에 미 인텔 AMD등이 참여한 차세대 미세회로 개발 컨소시엄
참여도 검토중이다.

현재 64메가나 1백28메가 D램엔 주로 0.18~0.2 회로기술이 적용되고 있다.

< 강현철 기자 hckang@ ked.co.kr >

( 한 국 경 제 신 문 1999년 12월 24일자 ).