삼성, 비메모리 포함 4년내 세계 '톱 3' 선언
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삼성전자는 메모리및 비메모리 분야를 통틀어 당초 계획보다 2~3년 앞당긴
오는 2003년까지 반도체 세계 "톱 3" 업체로 도약할 방침이라고 6일 밝혔다.
삼성전자는 이를위해 메모리 분야에 올해 20억달러를, 비메모리 분야에도
올부터 2002년까지 3년간 1조5천억원을 각각 투자해 세계 반도체 시장 점유율
을 5% 이상으로 끌어 올리기로 했다.
이와 관련,삼성 구조조정본부의 관계자는 "이건희 회장 등 수뇌진들은
과거의 신화에 안주하지 말고 항상 위기 의식을 갖도록 직원들에게 당부하고
있으며 이 회장은 세계 제일의 반도체 업체로 성장시키는 것을 필생의 과업
으로 인식하고 있다"고 강조했다.
삼성전자는 R&D(연구개발) 투자를 연간 매출액의 10% 수준까지 확대해
나가고 반도체 원재료인 웨이퍼 소재를 실리콘 대신 탄소 또는 갈륨비소로
대체하는 등 첨단 기술력 확보에도 주력키로 했다.
또 현재 개발 단계인 1기가급 D램 반도체에 이어 1기가의 1천배인 1테라급
D램 반도체 개발을 오는 2010년까지 마무리할 예정이다.
삼성전자는 지난해 반도체 부문에서 71억달러의 매출을 올려 미 인텔,
일본 NEC 도시바에 이어 세계 4위 반도체업체에 랭크됐다.
< 강현철 기자 hckang@ked.co.kr >
( 한 국 경 제 신 문 2000년 2월 7일자 ).
오는 2003년까지 반도체 세계 "톱 3" 업체로 도약할 방침이라고 6일 밝혔다.
삼성전자는 이를위해 메모리 분야에 올해 20억달러를, 비메모리 분야에도
올부터 2002년까지 3년간 1조5천억원을 각각 투자해 세계 반도체 시장 점유율
을 5% 이상으로 끌어 올리기로 했다.
이와 관련,삼성 구조조정본부의 관계자는 "이건희 회장 등 수뇌진들은
과거의 신화에 안주하지 말고 항상 위기 의식을 갖도록 직원들에게 당부하고
있으며 이 회장은 세계 제일의 반도체 업체로 성장시키는 것을 필생의 과업
으로 인식하고 있다"고 강조했다.
삼성전자는 R&D(연구개발) 투자를 연간 매출액의 10% 수준까지 확대해
나가고 반도체 원재료인 웨이퍼 소재를 실리콘 대신 탄소 또는 갈륨비소로
대체하는 등 첨단 기술력 확보에도 주력키로 했다.
또 현재 개발 단계인 1기가급 D램 반도체에 이어 1기가의 1천배인 1테라급
D램 반도체 개발을 오는 2010년까지 마무리할 예정이다.
삼성전자는 지난해 반도체 부문에서 71억달러의 매출을 올려 미 인텔,
일본 NEC 도시바에 이어 세계 4위 반도체업체에 랭크됐다.
< 강현철 기자 hckang@ked.co.kr >
( 한 국 경 제 신 문 2000년 2월 7일자 ).