현대전자는 D램과 S램,플래시 메모리 등 메모리반도체 제품의 기능을 결합한 차세대 메모리 반도체인 64K와 2백56K Fe램(RAM)을 제품화하는데 성공했다고 17일 발표했다.

이 회사는 3.4분기부터 이 제품을 이동전화 개인정보단말기(PDA) 스마트폰 관련 업체에 샘플로 제공,품질 검증과정을 거쳐 공급할 계획이다.

이 제품은 F램의 특성을 결정하는 강유전체 재료로 SBT(스트로튬 비스무스 탄탈레이트)를 사용해 제품의 신뢰성을 높였으며 메모리셀 구동방식을 채용,전력 소모를 크게 줄인게 특징이라고 회사측은 설명했다.

64K Fe램의 경우 2V의 저전압에서 사용이 가능하며 2백56K는 3~5V의 넓은 범위의 전압에서 폭넓게 사용할 수 있다고 회사측은 덧붙였다.

현대는 이번 설계 기술을 활용해 차세대 고집적 제품인 메가급 제품개발에도 착수,초기 Fe램 시장을 주도한다는 전략이다.

세계 Fe램 시장 규모는 2002년 약 12억 달러에 이를 것으로 관측되고 있다.

한편 삼성전자는 지난해 업계 처음으로 메모리 제품의 장점만을 결합한 4메가급 Fe램을 개발했다고 발표했었다.

이익원 기자 iklee@ked.co.kr

[ 용어설명 ]

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D램의 용량과 S램의 속도, 플래시 메모리의 정보보존 기능 등 특성을 결합한 비휘발성 메모리로 기존의 메모리 반도체보다 동작 전압이 낮고 정보 기록 속도가 1천배 이상 빨라진 제품이라고 현대전자는 설명했다.

저전압 저전력 동작이 가능해 휴대형 기기의 대체 메모리로 활용하는데 적합한 제품이다.