삼성전자가 차세대 반도체 핵심기술의 특허를 잇따라 따내고 있다.

삼성전자는 미국에서 현재 메모리 반도체 주력인 싱크로너스방식을 대체할 차세대 DDR(Double Data Rate)방식 메모리 반도체의 핵심 기술특허를 획득했다고 21일 밝혔다.

삼성은 이번에 데이터 입력회로기술과 입력마스킹(Masking)회로기술 대해 특허를 등록했다.

데이터 입력회로 기술은 DDR 방식 메모리 제품의 가장 큰 특성인 한개의 클릭신호에 2개의 데이터 수신을 가능하게 하는 데이터 입력 기술이다.

입력 마스킹 회로기술은 DDR 방식 반도체에 입력되는 데이터 중 불필요한 데이터의 입력을 제어하는 기술이다.

이 회사는 이번 특허획득으로 반도체 특허 로열티 수입 및 특허기술 판매로 올해 1천5백만달러 이상의 수익을 예상하고 있다.

삼성관계자는 특허등록이 메모리 반도체 세계 1위 업체로서의 기술력을 입증한 사례라며 세계 초일류 기업들과 로열티 없이 특허를 상호 교환,사용하는 "크로스 라이선스(Cross Licence)"를 할 수있게 됐다고 말했다.

삼성전자는 지난해 미국 특허청에 1천5백45건의 특허를 등록,미국내 특허등록 세계 4위를 차지했으며 그중 반도체관련 특허는 4백50건이라고 설명했다.

이익원 기자 iklee@hankyung.com