국내 반도체업체들이 D램 생산량을 크게 늘리고 있다.

15일 업계에 따르면 삼성전자와 현대전자는 라인 증설과 회로선폭 미세화를 통해 D램 생산량을 늘리는 데 적극 나서고 있다.

현재 9개 라인을 운영하고 있는 삼성전자는 오는 10월부터 웨이퍼 1만6천장 규모의 10라인을 새로 가동할 방침이다.

또 현대전자는 다음달부터 청주공장에 웨이퍼 2만장 규모의 라인을 깔아 4·4분기부터 본격 가동할 계획이다.

웨이퍼는 D램의 중간생산재인 실리콘 원판으로 장당 생산량이 많을수록 생산단가가 떨어져 수익률이 높아지게 된다.

삼성 현대 등 반도체 메이커들은 웨이퍼당 D램 생산량을 늘리기 위해 회로선폭을 0.17∼0.19㎛(1㎛는 1백만분의 1m)로 줄이고 있다.

삼성전자는 현재 30% 정도 남은 0.2∼0.22㎛라인을 연말까지 전부 0.17∼0.19㎛로 바꿀 계획이다.

현대전자도 현재 전체의 30% 수준인 0.18㎛라인을 70% 이상으로 끌어올릴 방침이다.

이에 따라 삼성전자와 현대전자의 D램 생산량(64메가 D램 기준)은 각각 월 6천1백만개,6천6백만개에서 연말에는 7천5백만개,8천만개로 늘어날 전망이다.

업계 관계자는 "최근 미국 마이크론사가 D램 공급가를 계속 인상하고 있다"며 "이는 업체들의 생산 증대에도 불구하고 D램 공급이 수요를 따라오지 못할 것이라는 전망에 따른 것"이라고 설명했다.

이익원 기자 iklee@hankyung.com