하이닉스반도체는 차세대 이동정보 통신기기 시장을 겨냥한 초저전력 SD램 개발에 성공했다고 11일 밝혔다. 이 제품은 회로선폭 0.18㎛(1㎛=1백만분의 1m)의 미세 가공기술이 적용됐으며 2.5V의 저전압에서 동작할 수 있도록 설계됐다. 특히 반도체 분야의 국제표준화기구인 제덱(JEDEC)에서 올해초 표준으로 인증된 각종 소비전력 절감 규격을 적용, 성능의 효율화를 극대화했다. 온도에 따라 충전 속도를 조절할 수 있는 "TCSR" 기술과 대기시간중 데이터 부분만 충전하는 "PASR", 사용중단시 D램 작동을 차단하는 "DPD" 등의 기술을 사용했다. 이를 통해 전력 소모량을 기존 제품에 비해 60%이상 줄여 휴대기기의 배터리 사용시간을 늘릴 수 있는게 특징이라고 하이닉스측은 밝혔다. 하이닉스측은 이 제품을 3.4분기부터 양산하고 내년 상반기에는 2백56메가 초저전력 SD램 제품도 생산키로 했다. 초저전력 SD램은 차세대 이동통신(IMT-2000) 단말기, 개인휴대단말기(PDA), 디지털카메라 등 개인 휴대기기에 활용될 것으로 예상되고 있다. 일반 SD램보다 3~4배 이상 가격이 비싸 세계 각국의 메모리 업체가 시장선점 경쟁을 본격화하고 있다. 회사 관계자는 "최근 D램 반도체의 수요가 PC 위주에서 휴대기기 전자제품으로 다양화되고 있다"며 "이번 제품은 휴대기기 전자제품의 고용량 메모리 제품 요구를 충족시키면서 전력 소모량을 줄여 시장수요가 크게 증가할 것"이라고 기대했다. 이심기 기자 sglee@hankyung.com