삼성전자는 회로선폭 0.15㎛(미크론·1백만분의1m) 초미세 공정기술을 적용한 고성능 NAND(데이터저장용)형 5백12메가 플래시메모리 반도체 양산에 나섰다고 4일 발표했다. 이 제품은 휴대용 정보기기의 용량이 커지고 빠른 데이터 처리속도를 요구하는 추세에 맞춘 것으로 MP3플레이어 디지털카메라 PDA 등의 핵심 메모리로 공급될 예정이다. 삼성측은 데이터 흐름을 짧게 가져갈 수 있도록 구조를 설계,NAND형 제품의 단점으로 지적돼온 늦은 데이터 처리속도 문제를 개선했다고 설명했다. 또 공정수를 기존보다 10% 정도 줄여 원가를 절감했다고 덧붙였다. 삼성전자는 연평균 72%의 고성장이 예상되는 NAND형 플래시메모리를 지난해 3천8백만개 생산한데 이어 올해는 1억4천3백만개로 생산규모를 늘려 세계시장의 35%를 차지할 계획이다. 하반기부터는 0.15미크론 공정을 64메가,2백56메가 등 전제품군에 확대 적용해 원가경쟁력을 높인다는 방침이다. 이심기 기자 sglee@hankyung.com