삼성전자는 업계 최초로 차세대 고성능 D램 반도체인 'DDR(더블 데이터 레이트) 333 SD램(166㎒)' 양산에 돌입했다고 16일 밝혔다. 0.15미크론의 회로선폭이 적용되는 이 제품은 1백28메가와 2백56메가 두 종류로 양산된다. 이 제품은 PC133 싱크로너스 D램보다 처리속도가 2.5배 빠르고 기존의 DDR 266제품보다 성능이 25% 향상된 것이다. 이심기 기자 sglee@hankyung.com