동부전자는 9일 이스라엘의 타워세미컨덕터사와 기술 공동개발 및 생산협력에 관한 전략적 제휴를 맺었다고 밝혔다. 양사는 이번 제휴로 2002년 1·4분기까지 파운드리 표준형 회로선폭 0.18㎛(미크론·1백만분의 1m) CMOS(상보형 금속산화반도체) 공정을 공동 개발할 예정이다. 또 증가하는 발주량에 능동적으로 대응하기 위해 상대회사의 생산 시설을 이용할 수 있도록 했다. 타워세미컨덕터사는 1.0~0.35㎛급의 공정기술을 이용하여 웨이퍼를 가공해주는 파운드리 회사로 특히 첨단 플래시 메모리 및 CMOS 이미지 센서의 제조 및 마케팅에 경쟁력을 가지고 있다고 동부전자는 설명했다. 지난 1996년 미국의 나스닥에 상장한 타워세미컨덕터사는 지난해 매출액이 1억달러가 넘는 중견 반도체회사로 최근 현 공장 인근에 제2생산라인을 건설 중이다. 김성택 기자 idntt@hankyung.com