삼성전자가 범용 D램위주의 메모리 반도체 전략을 수정,부가가치가 높은 S램과 플래시메모리 사업을 대폭 강화키로 했다. 또 세계 메모리업계에서 처음으로 3백 웨이퍼와 5백12메가 D램의 양산에 들어갔다. 초정밀회로가 그려지는 웨이퍼(실리콘 원판)의 지름이 기존의 2백 에서 3백미리로 커지면 생산량과 원가경쟁력도 그만큼 높아지게 된다. 삼성전자 메모리사업부 황창규 사장은 29일 서울 신라호텔에서 내외신 기자회견을 갖고 "가격변동의 영향을 덜받도록 하기 위해 S램과 플래시메모리의 비중을 2005년까지 전체의 50%로 높일 예정"이라고 밝혔다. 황 사장은 이어 "비메로리를 포함한 반도체업계 전체에서 순위가 지난해 4위에서 2005년에는 인텔에 이어 2위로 올라설 것"이라고 말했다. 삼성은 특히 인텔 AMD 등이 장악하고 있는 휴대폰용 플래시메모리(NOR형)시장에 내년에 뛰어드는등 플래시메모리를 집중 육성키로 했다. 디지털카메라 등에 들어가는 NAND형 플래시 메모리시장에서는 이미 도시바를 제치고 세계 1위를 확보했다고 설명했다. 삼성전자는 지난 7월말부터 경기 화성 2단지의 11라인내에 3백 웨이퍼를 월 1천5백만 생산할 수 있는 라인을 구축,최근 2백56메가 제품을 생산해 업체에 공급하기 시작했다. 삼성은 현재 이 라인에 0.15 (미크론,1백만분의 1m) 공정을 적용하고 있으며 내년에는 0.12 공정을 적용한 5백12메가 제품 등 대용량 메모리 반도체 제품을 양산할 계획이다. 또 2003년부터는 0.10 의 극초미세 공정을 적용하고 2004년까지는 0.07 공정기술을 양산에 적용할 방침이다. 김성택 기자 idntt@hankyung.com