삼성전자가 3백mm 웨이퍼 양산과 제품구조의 고부가가치화를 앞세워 메모리와 비메모리를 통틀어 세계 1위의 반도체 업체인 인텔에 도전장을 냈다. 삼성은 메모리 부문에서는 세계 1위지만 비메모리를 합친 통합 랭킹에서는 지난해말 현재 4위. 이 순위를 2005년에느 2위를 끌어올려 선두 인텔에 바짝 다가선다는 목표다. ◇3백㎜ 웨이퍼 양산의 의미=생산성과 가격경쟁력에서 경쟁업체를 완전히 따돌릴 수 있다는 점에서 중요하다. 3백㎜ 웨이퍼를 생산하면 D램 생산량이 기존 2백㎜의 2.5배 정도로 늘어난다. 2백56메가든 5백12메가든 마찬가지다. D램의 개당 제조원가는 그만큼 높아진다. 삼성이 메모리 반도체의 주력제품을 현재의 1백28메가 제품에서 2백56메가로 조기에 이전하려 하는 이유도 여기에 있다. 황창규 사장은 삼성전자 내부에서 이미 2백56메가의 비트당 원가가 주력인 1백28메가보다 싸지는 '비트 크로스'가 발생해 2백56메가로의 전환은 시간문제라고 설명했다. 삼성은 3백㎜ 웨이퍼를 이용한 2백56메가 양산에 들어갔기 때문에 주력제품만 세대교체가 되면 경쟁업체가 따라올 수 없는 위치를 확보하게 된다. 삼성은 3백㎜ 웨이퍼 가공설비를 갖추고 있는 경기도 화성 2단지내 11라인에 내년초부터는 0.12㎛(미크론·1백만분의 m) 공정을 적용,5백12메가 등 대용량 메모리 반도체를 양산한다는 계획도 세워놓고 있다. 2003년부터는 0.10㎛의 극초미세 공정을 실용화하고 2004년까지는 0.07㎛ 공정기술도 개발,적용할 계획이다. ◇제품구조의 고부가가치화=삼성은 메모리사업을 가격 변동의 영향을 덜 받는 안정적인 구조로 전환하고 부가가치가 높은 플래시메모리 S램 등 고가 제품을 집중적으로 생산할 방침이다. 삼성이 겨냥하고 있는 플래시메모리는 휴대폰 디지털카메라 디지털캠코더 등에 들어가는 메모리로 고성장이 예상되는 분야다. 최근 IT(정보기술)산업 불황에도 불구하고 연평균 54%의 성장을 예상하고 있다. 도시바의 플래시메모리 부문 인수를 추진했던 이유도 여기에 있다. 디지털카메라 등에 들어가는 NAND형 플래시메모리 시장에서는 이미 도시바를 제치고 1위를 차지했다. 내년에는 인텔 AMD 등이 장악하고 있는 휴대폰용 플래시메모리(NOR형) 시장에마저 뛰어들 계획이다. D램은 가격 변동이 심하고 일반 업체들이 물량을 과잉 공급하고 있는 범용 D램의 비중을 축소하고 서버 네트워크 게임기 등에 들어가는 주문형 제품에 포커스를 맞추기로 했다. 김성택 기자 idntt@hankyung.com