나리지온,질화물 반도체 발광소자 제작방법 특허 취득 입력2006.04.02 11:11 수정2006.04.02 11:14 글자크기 조절 기사 스크랩 기사 스크랩 공유 공유 댓글 0 댓글 클린뷰 클린뷰 프린트 프린트 나리지온은 2차원 전자가스총을 갖는 양자구조의 질화물 반도체 발광소자의 제작방법에 대해 특허를 취득했다고 14일 밝혔다. 또 P형GAN의 낮은 표면저항 및 높은 정공농도를 얻기 위한 표면처리방법에 대해서도 특허 취득했다. 회사는 이를 질화갈륨계 발광소자 등의 제작공정에 응용할 예정이다.투자액은 1억원이다. [한경닷컴 뉴스팀] 좋아요 싫어요 후속기사 원해요 ⓒ 한경닷컴, 무단전재 및 재배포 금지 한국경제 구독신청 모바일한경 보기 관련 뉴스 1 'B.A.A.M', 을사년 ETF 투자 키워드 삼성자산운용은 2025년 ‘푸른 뱀의 해’ 을사년을 맞아 투자자가 주목해야 할 상장지수펀드(ETF) 투자 키워드로 ‘뱀(B.A.A.M)’을 선정했다고 2일 밝혔다. B.A.... 2 삼성증권 자산가 "올해 韓 증시 5%, 美 11% 상승" 고액 자산가들은 올해 코스피지수가 5%가량 상승할 것이라고 내다봤다. 국내 주식을 매수할 적정한 시기로는 2~3분기를 꼽았다. 2일 삼성증권의 고액 자산가 설문조사에서다.이날 삼성증권이 30억원 이상을 맡긴 초고액 ... 3 "새해 증시, 밸류업 지속 추진…부실 상장사 퇴출 집중할 것" 2025년 증권시장 개장을 맞아 김병환 금융위원장과 정은보 한국거래소 이사장이 2일 “밸류업 프로그램 추진과 부실 상장사 퇴출에 집중하겠다”고 밝혔다.이날 김 위원장은 서울 여의도 거래소 마켓스...