삼성전자는 데이터를 저장하고 판독하는 동작속도가 25ns(나노초:1ns는 10억분의 1초)인 `초고속 저전력 S램' 개발에 성공했다고 3일발표했다. 삼성전자는 이번에 개발한 16메가 저전력 S램의 동작속도가 대폭 향상돼 기존제품보다 게임과 애니메이션 등 동영상 처리에서 휴대폰 성능을 약 30%가량 높힐 수있게 됐다고 밝혔다. 또한 이 제품이 휴대폰 시스템에 따른 동작 호환성을 확보하고 16메가의 대용량이어서 2.5세대 및 3세대 휴대폰에 주로 사용될 전망이라고 삼성전자는 설명했다. 삼성전자는 이번 제품과 함께 현재 양산중인 `플래시메모리+Ut램+ SD램'의 복합칩(MCP)을 통해 차세대 휴대기기에 적합한 최적의 솔루션을 제공할 수 있도록 마케팅을 강화할 방침이다. 삼성전자는 이번 초고속 저전력 S램을 상반기중 양산해 세계시장의 50%를 차지할 계획이다. (서울=연합뉴스)김현준기자 june@yna.co.kr