나리지온은 질화물 반도체 발광소자에 대해 국내 특허를 취득했다고 7일 밝혔다. 이 특허는 발광소자의 활성층에 도우너와 억셉터 불순물을 순차적으로 도핑시켜 활성층의 내부에 전자 및 정공이 국소적으로 한정된 층을 형성해 발광결합 효율을 증가시킬수 있는 질화물 반도체 발광소자(청색 LED 등)에 관한 것이라고 회사측은 설명했다. [한경닷컴 뉴스팀]