삼성전자는 기존 초고속메모리 DDR(더블데이터레이트) D램보다 속도가 4배 빠른 'DDR-Ⅱ' D램을 세계 최초로 개발했다고 27일 발표했다. 삼성전자가 이번에 개발한 DDR-Ⅱ는 데이터처리속도가 5백33·6백67Mbps인 5백12메가 제품으로 1초에 한글 4천1백만자 분량을 처리할 수 있다. 기존 DDR제품보다 2배 이상,일반 SD램보다는 4배 가량 빠른 '2세대 DDR 메모리 반도체'다. 삼성전자는 이 제품에 1.8V의 저전력 동작과 회로선폭 0.12㎛(미크론·1백만분의 1m) 초미세 공정 등 각종 신기술을 적용했으며 47건의 특허를 출원해 이중 8건에 대해 이미 미국 특허를 취득했다. 삼성전자는 특히 미국 IBM과 이 제품의 성능테스트 프로젝트를 진행해 성능검증을 마친 상태다. IBM의 메모리인증담당 게리 트레슬러씨는 "삼성전자의 DDR-Ⅱ D램은 향후 IBM에서 개발할 고성능 시스템을 완벽하게 지원하게 될 것으로 예상된다"고 말했다. 삼성전자는 5백12메가 DDR-Ⅱ를 올해말부터 양산할 계획이며 DDR의 생산비중도 연말까지 50% 이상으로 확대해 고성능 D램 시장을 주도해 나갈 방침이다. DDR D램은 한번의 동기신호에 한번만 동작하는 SD램과 달리 두번 동작하는 반도체다. 데이터퀘스트에 따르면 DDR는 올해 D램 시장의 40%를 차지하고 내년엔 66%로 증가할 것으로 예상되고 있다. 김성택 기자 idntt@hankyung.com