하이닉스, 512메가 DDR SD램 개발

하이닉스반도체는 0.10㎛(1미크론은 1백만분의 1m)의 초미세 회로선폭 기술을 적용한 5백12메가 DDR SD램 개발에 성공했다고 29일 발표했다.

이 제품은 기존 프라임칩 공정기술(0.13미크론)에 사용했던 장비를 이용,추가 투자없이 0.1미크론 제품의 양산이 가능한 골든칩 기술을 적용한 게 특징이다.

프라임칩 기술과 비교,웨이퍼당 칩 개수도 40% 이상 늘릴 수 있다고 회사측은 설명했다.