삼성전자는 경기도 기흥의 반도체 6,7라인을 D램에서 플래시메모리로 전환하고 D램 라인을 업그레이드하는데 9천5백55억원을 투자한다고 14일 밝혔다. 이 회사는 이미 올해 3백㎜웨이퍼 전용 12라인 투자에 1차로 1조4천6백71억원을 투입키로 결정,올해 메모리 부문의 전체 투자 규모는 모두 2조4천2백20억원으로 확대됐다. 지난해부터 6,7라인 주력제품을 D램에서 플래시메모리로 바꾸는 작업을 추진해온 삼성전자는 추가전환과 공정업그레이드,증설 등에 2천64억원을 투입한다.