비휘발성 메모리의 용량이 기존보다 크게 늘어난 테라비트급 플래시 메모리를 개발,상용화할 수 있는 길이 열렸다. 삼성종합기술원 김정우 박사팀은 서울대 박병국 교수팀과 공동으로 실리콘 산화물 질화물 산화물 실리콘(SONOS) 구조에 30㎚(나노미터는 10억분의 1m)의 극미세 선폭의 메모리용 소자를 개발했다고 13일 밝혔다. 세계적으로 반도체 업계에 사용되는 메모리 소자들은 현재 1백30㎚에서 90㎚ 크기로 바뀌고 있는 추세로 90㎚ 크기의 소자를 사용한 메모리의 저장 용량이 2기가 비트(Gb)인데 비해 김 박사팀이 개발한 소자는 1천Gb(테라비트)까지 가능할 수 있도록 하는 것이다. 이번 소자는 기존 메모리 소자에 비해 크기가 훨씬 작기 때문에 한개의 메모리에 많은 수를 담을 수 있는 것으로 메모리의 집적화 한계를 극복한 것이다. 김 박사는 "SONOS 구조를 갖는 단위 소자가 메모리의 특성을 갖는다는 사실을 확인했다"며 "이제 이들 소자를 집적화하는 단계를 거쳐야 한다"고 설명했다. 그는 또 "이번 연구로 앞으로 4∼5년 후면 봉착하게 될 플래시 메모리의 집적도 한계를 극복할 수 있는 전기가 마련됐다"고 평가했다. 특히 공정이 단순할 뿐 아니라 제조원가가 저렴해 가격 경쟁력이 뛰어난 장점을 갖추고 있다고 덧붙였다. 따라서 2004년 2백억달러에 이를 것으로 추정되고 있는 세계 플래시 메모리시장을 주도할 수 있는 역량을 갖추는 데 크게 기여할 것이라는 게 연구팀의 설명이다. 이번 연구성과는 18일 미국 캘리포니아주 몬터레이에서 열리는 2003 IEEE 비휘발성 반도체 메모리 워크숍(NVSMW)에서도 발표될 예정이다. 연구팀은 이번 연구결과와 관련,12건의 특허를 국내 및 해외에 특허출원했다. 송대섭 기자 dssong@hankyung.com ..................................................................... [ 용어풀이 ] 플래시 메모리란= 전원공급이 중단되면 기억된 데이터가 모두 사라지는 (휘발성) D램과는 달리 전원이 꺼져도 데이터가 그대로 남아있을 (비휘발성) 뿐만 아니라 마음대로 내용을 기록.수정.보관할 수 있는 기억장치다. 현재 플래시 메모리는 비휘발성 메모리 시장의 75% 이상을 점유하고 있으며 휴대폰,PDA,디지털 카메라,MP3 플레이어 등 다양한 응용제품에 적용할 수 있다. 최근 자동차, 디지털 가전, TV셋톱박스, 네트워크 장비 등으로 응용범위가 점차 확대되고 있다.