DDR SD램 가격이 급락하면서 반도체 업계가 상대적으로 가격 하락폭이 작은 고속제품 개발에 치열한 경쟁을 벌이고 있다. 삼성전자와 하이닉스반도체는 미국 캘리포니아주 새너제이에서 열리고 있는 인텔 개발자포럼에서 2백56메가 DDR SD램 4백Mbps(초당 4억비트 전송)단품 및 모듈제품에 대한 인증을 획득했다고 20일 발표했다. 삼성전자는 5백12메가 모듈에 대한 인증도 획득했으며 하이닉스는 5백12메가 인증을 추진하는 과정이다. 4백Mbps제품은 현재 주력인 2백66Mbps제품보다 속도가 50% 가량 빠른 제품이다. 인텔사가 내달말께 고속메모리를 필요로 하는 스프링데일 칩셋을 새로 내놓을 예정이어서 3백33Mbps제품과 4백Mbps제품이 시장주력품목으로 부상할 것으로 전망되고 있다. 하이닉스반도체 메모리마케팅 담당 파하드 타브리지 상무는 "DDR4백이 올 4·4분기까지 전체 DDR 시장 수요의 30%에 달하는 한편 올 하반기까지 일반 데스크톱 PC에 채용되는 초고속 메모리의 50% 이상이 DDR4백으로 교체될 것으로 전망된다"고 말했다. 삼성전자도 "DDR4백 인증은 초고속 D램시장을 앞당기며 최근 가격 하락세를 보이고 있는 D램 시장의 회복에도 청신호가 될 것"이라고 전망했다. 이에 따라 삼성과 하이닉스는 올해 DDR3백33과 DDR4백 제품생산을 늘려 시장을 주도한다는 전략이다. 세종증권의 최시원 애널리스트는 "인텔의 새로운 칩셋 출시로 초고속제품을 중심으로 2백56메가의 수명이 연장되고 5백12메가로의 세대교체는 지연될 것"이라고 말했다. 지난 96년부터 2000년까지 D램시장 주력제품의 용량은 16메가에서 64메가로 증가했으나 속도는 1백Mbps에 머물렀었다. 2001년에 1백33Mbps,지난해 2백66Mbps 제품이 부상하는 등 초고속제품으로 교체가 빨라지는 추세다. 특히 이번 DDR4백 제품 인증에 국내업체들과 독일의 인피니언,일본의 엘피다 등 4개사만 인증을 받고 마이크론을 비롯한 다른 업체들이 빠져 향후 업체간 차별화의 계기가 될 것으로 전망되고 있다. D램 업계 2위인 마이크론의 경우 기술적인 문제로 인증제품을 내놓지 못한 것으로 알려졌다. 마이크론은 지난해 DDR제품 양산에도 뒤처져 큰 폭의 손실을 봤다. 김성택 기자 idntt@hankyung.com