하이닉스반도체는 차세대 이동통신용 및 시스템온칩(SoC)용 메모리에 가장 적합한 '고집적 강유전체 메모리(Fe램)' 상용화 기술 개발에 성공했다고 9일 발표했다. Fe램은 D램과 같은 집적도와 S램과 같은 고속 동작이 가능하면서도 플래시메모리처럼 전원이 꺼져도 기록된 정보를 유지할 수 있는 비휘발성 통합 메모리로 D램 S램 플래시메모리를 대체할 차세대 반도체로 꼽힌다. 이번에 개발한 제품은 0.25㎛의 미세 가공기술을 적용한 4·8메가 Fe램 샘플로 3.0V의 동작전압에서 70나노초(1나노초=10억분의 1초)의 빠른 속도로 쓰기와 읽기가 가능하며 1천억회 이상 반복쓰기가 가능하다. 하이닉스는 이 제품을 10일 미국 콜로라도 스프링스에서 열리는 '제15회 고집적 강유전체 국제 심포지엄(ISIF)'에서 공식 발표할 예정이다. Fe램은 휴대폰 PDA(개인휴대단말기) 스마트폰 스마트카드 등 휴대용 단말기 보급과 함께 그 활용도가 급속 확산될 것으로 예상되며 2006년에는 1백억달러의 시장을 형성할 것으로 전망되고 있다. 김성택 기자 idntt@hankyung.com