삼성전자, 美 오스틴공장 5억弗 투자 .. 2005년까지 3년간

삼성전자는 미국 오스틴 반도체공장에 2005년까지 3년간 5억달러를 투자키로 하고 2일(현지시간) 장비 반입·추가 투자 기념식을 가졌다.

노무현 대통령의 방미를 앞두고 한·미 우호관계 증진을 위해 마련된 이날 기념식에는 조지 부시 전 미국 대통령을 비롯해 릭 페리 텍사스주지사,이윤우 반도체 총괄사장,이승환 오스틴 법인장 등 2백여명이 참석했다.

삼성은 이 자리에서 오스틴 공장의 설비투자 계획을 담은 '나노테크 3개년 투자계획'을 발표했다.

삼성전자는 2005년까지 오스틴 공장에 나노(1nm=10억분의 1m) 공정을 도입하고 웨이퍼 가공 능력도 월 3만장에서 4만5천장으로 50% 가량 늘리기로 했다.

올 하반기까지 1억2천7백만달러가 들어가는 1단계 투자가 완료되면 오스틴 공장의 생산공정은 현재 0.13㎛(마이크로미터·1㎛=1백만분의 1m)에서 0.11㎛로 향상된다.

2005년까지 나노 공정이 도입되면 오스틴 공장은 웨이퍼당 칩 수가 40%나 증가해 획기적인 원가 절감 효과를 이룰 수 있다.

조시 부시 전 미국 대통령은 축사에서 한·미 우호관계를 강조하고 삼성의 투자에 고마움을 표시했다.

김성택 기자 idntt@hankyung.com