하이닉스반도체가 메모리업계에서 두번째로 회로선폭 0.10㎛(마이크로미터·1백만분의 1m)급 양산기술을 확보,오는 7월부터 제품을 본격 출하한다고 12일 발표했다. 하이닉스는 회로선폭 미세화 작업이 순조롭게 진행돼 0.10㎛ 양산 기술을 성공적으로 확보하고 2백56메가 DDR제품에서 안정적인 수율을 달성했다. 0.10㎛ 이하 양산기술을 확보한 것은 삼성전자에 이어 메모리업계 두번째다. 하이닉스는 '골든칩'이라고 명명한 이 기술을 적용하면 기존 공정에 써온 장비를 이용,투자 비용을 약 50% 줄일 수 있다고 밝혔다. 하이닉스는 이를 위해 올해 7천억원 가량을 설비 업그레이드에 투자할 예정이다. 또 기존 0.13㎛ 기술에 비해 웨이퍼당 칩 개수도 40% 이상 늘어나 경쟁사보다 기술 및 원가 경쟁력에서 명실상부한 우위를 차지할 수 있다고 덧붙였다. 골든칩 기술을 적용한 하이닉스의 2백56메가 DDR SD램은 PC 및 서버의 메인 메모리용 제품으로 DDR 4백㎒ 제품에 대한 실장 테스트를 통과했다. 하이닉스는 청주 생산라인에서 오는 7월부터 제품을 출하할 예정이다. 8월에는 5백12메가 DDR SD램,11월에는 1기가 DDR SD램을 각각 양산할 계획이다. 하이닉스반도체는 올 연말까지 0.13㎛ 이하의 첨단 공정을 약 80%로 늘리고 앞선 기술력을 보유한 DDR 4백㎒ 제품 비중도 DDR 제품 중 60% 이상으로 확대할 방침이다. 하이닉스반도체는 80㎚(나노미터·10억분의 1m)급 기술인 다이아몬드칩 기술 개발도 추진하고 있다. 김성택 기자 idntt@hankyung.com