하이닉스반도체는 액정표시장치(LCD) 구동에 필요한 LDI의 크기를 20∼30% 줄일 수 있는 0.18마이크로미터(㎛) 고전압 공정기술을 개발했다고 25일 밝혔다. LDI는 고전압을 요구하는 비메모리 반도체 소자를 제조하는 데 필요한 핵심 기술이다. 기존 기술보다 칩 면적을 20∼30% 줄일 수 있어 LCD를 디스플레이로 사용하는 휴대폰의 소형화와 경량화에 특히 유리하다고 회사측은 설명했다. 또 0.25 및 0.35㎛ 공정에 응용할 경우 게이트 드라이버 컨트롤러 등을 메모리 단일칩으로 구현할 수 있어 제조비용도 절감할 수 있다. 회사 관계자는 "휴대폰 디스플레이의 화면이 커지고 해상도가 증가함에 따라 집적해야 할 메모리의 양이 늘어나는 추세"라며 "이번에 개발된 신기술이 휴대폰용 LDI 시장을 확대하는 데 유리하게 작용할 것"이라고 말했다. 이심기 기자 sglee@hankyung.com