삼성전자가 향후 모바일 및 디지털 기기 분야의 메모리 반도체 시장의 석권을 선언했다. 선봉장은 이날 발표된 70나노급 기술의 낸드 플래시 메모리와 삼성전자만의 고유 모델인 퓨전 메모리다. 황창규 메모리부문 사장은 "앞으로 세계 반도체시장은 모바일과 디지털 기기를 중심으로 폭발적인 성장세를 나타낼 것"이라며 "삼성전자는 메모리 분야의 압도적인 기술력과 생산기술을 통해 IT(정보통신) 시장의 변화를 선도해 나갈 것"이라고 자신감을 내보였다. 황 사장은 이같은 삼성전자의 비전을 '토털 메모리 솔루션'이라고 표현했다. 메모리 분야를 필요로 하는 모든 분야에 기존 메모리 제품을 지속적으로 응용하고 파생시켜 나가겠다는 구상이다. 이 과정에서 현재 70∼80나노 공정까지 진행된 양산기술을 50나노급까지 끌어내림으로써 생산 효율 면에서 타의 추종을 불허하겠다는게 삼성전자의 야심찬 전략이다. ◆ D램의 주력이 바뀐다 삼성전자는 지난해 11억달러, 올해 30억달러 규모로 예상되는 낸드 플래시메모리 시장이 해마다 50% 이상의 성장을 거듭해 오는 2007년에는 1백60억달러까지 커질 것으로 내다봤다. 실제 낸드 플래시는 셋톱박스 DVD플레이어 PDA 디지털카메라 휴대폰 디지털캠코더 카내비게이션 디지털TV 등으로 수요처가 급속히 확대되고 있는 추세다. 현재 낸드 플래시 시장에서 65%의 독보적인 시장점유율을 유지하고 있는 삼성전자는 이번 70나노급 신제품을 발판으로 플래시 메모리 카드와 스토리지(저장) 분야에서 획기적인 매출 신장을 기대하고 있다. 퓨전 메모리 역시 디지털 가전의 복합화ㆍ고성능화 추세에 따라 플래시메모리를 잇는 차세대 품목으로 지목되고 있다. ◆ '무어의 법칙'도 무너진다 삼성전자의 잇따른 나노 제품 개발은 지난 65년부터 반도체업계의 정설로 여겨져온 무어의 법칙을 간단히 무너뜨리고 있다. 이 이론은 반도체의 집적도가 1.5년에 2배씩 증가한다는 것. 하지만 삼성전자는 지난 99년 2백56메가 플래시 메모리 개발을 기점으로 △2000년 5백12메가 △2001년 1기가 △2002년 2기가 반도체를 내놓는 등 1년 간격으로 집적도를 두 배씩 향상시키는데 성공하고 있다. ◆ 나노 기술적용의 효과 나노는 10억분의 1로 1나노m는 머리카락 1만분의 1의 초미세 단위가 된다. 이같은 나노 기술이 50나노급 이하로 떨어지면 가까운 미래에 2백56메가 플래시메모리에 비해 1백만배 이상의 집적도를 갖는 반도체를 만들 수 있게 된다. 손톱 크기의 반도체 칩에 미국 의회도서관 자료를 통째로 담을 수 있다는 것. 삼성전자는 이번에 플래시메모리 분야에서 70나노급 공정기술 개발을 완료함으로써 기존 90나노급 공정에 비해 생산성을 50%이상 올릴 수 있게 됐다. 5백12메가 D램 분야에서 확보된 80나노급 공정기술은 현재 주력 공정보다 90% 이상 높은 효율을 기대할 수 있다. 조일훈 기자 jih@hankyung.com