하이닉스반도체는 고성능 메모리 반도체인 5백12메가 DDR2 SD램 제품이 미국 인텔사의 제품 인증을 획득했다고 15일 밝혔다. 이번에 인증을 받은 제품은 5백33MHz 및 4백MHz 단품 2종으로 인텔의 모든 테스트를 통과함에 따라 초고속 DDR 제품에 대한 국제적인 공신력을 얻게 됐다고 회사측은 설명했다. 5백12메가 DDR2는 0.11미크론 기술을 적용해 1.8V의 동작 전압에서 5백33MHz 및 4백MHz의 동작속도를 구현할 수 있도록 개발됐으며 하이닉스는 내년 1분기부터 본격적인 양산을 시작할 계획이다.