삼성전자는 3일 기흥과 화성공장의 메모리반도체 D램 생산라인인 9~11 라인에 신공정을 도입하기 위해 3천5백97억원을 투자한다고 발표했다. 투자가 완료되면 현재 0.10마이크로미터(㎛) 공정을 적용하고 있는 9,10라인은 0.09마이크로미터로,0.11마이크로미터인 11라인은 0.10마이크로미터로 각각 공정이 개선돼 D램 생산량이 평균 20% 가량 늘어나게 된다. 조일훈 기자 jih@hankyung.com