삼성전자, 70나노 D램 공정 세계 첫 개발

삼성전자는 3일 세계 반도체 업계에서 '마(魔)의 벽'으로 불리던 80나노 공정기술의 장벽을 뛰어넘어 세계 최초로 70나노 D램 공정기술 개발에 성공했다고 발표했다. ▶관련기사 A15면 황창규 삼성전자 반도체 총괄사장은 "실리콘 대신 금속(티타늄나이트라이드) 전극을 활용한 금속 콘덴서 기술을 적용해 D램용 70나노 공정기술을 개발했다"며 "연내 70나노급 5백12Mb 시제품을 선보일 예정"이라고 말했다. 조일훈 기자 jih@hankyung.com