삼성전자는 회로선폭 50나노(1㎚는 10억분의 1m) 이하급의 메모리 반도체에서 데이터 전송속도를 3배 정도 향상시킬 수 있는 새로운 소자기술을 개발했다고 19일 밝혔다.

이번에 개발된 '다층채널 트랜지스터 기술'과 '돌기형 트랜지스터 기술'은 최첨단 3차원 입체 트랜지스터 기술로 트랜지스터를 입체화시켜 여러 개의 데이터 이동통로(채널)를 만들어주는 차세대 반도체 소자기술이라고 삼성전자는 설명했다.

지금까지 메모리 반도체에서 전기신호를 통해 데이터의 이동을 담당하는 트랜지스터는 웨이퍼 평면에 2차원적으로 구현돼 1개의 채널만을 갖고 있었다.

이 때문에 나노급의 초미세 공정이 적용되는 나노 반도체에서는 데이터 전송속도,전기신호처리(전류흐름),누설전류 문제 등 반도체 특성 면에서 한계를 보여왔다.

그러나 '다층채널 트랜지스터 기술'은 실리콘과 게이트를 번갈아 두번 적층해 1개의 트랜지스터에 채널 4개를 형성할 수 있고 '돌기형 트랜지스터 기술'은 돌기형태로 된 트랜지스터로 전류가 흐르는 면적을 넓혀 채널 수를 증가시킨다.

이를 통해 50나노 이하급 메모리 반도체의 데이터 전송속도가 3배 정도 빨라진다는 것이다.

삼성전자는 이번 신기술 개발과 함께 업계 최초로 '돌기형 트랜지스터 기술'을 적용한 5백12Mb D램 샘플도 확보했다고 밝혔다.

장경영 기자 longrun@hankyung.com