삼성전자, 64Mb P램 세계 첫 개발
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삼성전자는 세계 최초로 64메가비트(Mb) P램(상변화 메모리) 반도체 기술 및 시제품 개발에 성공했다고 19일 발표했다.
64Mb P램은 지금까지 나온 차세대 메모리 반도체중 최대용량으로 고집적화에 어려움이 있었던 차세대 메모리의 한계를 극복한 획기적 제품이라고 삼성전자는 설명했다.
P램은 '게르마늄 안티몬 텔룰라이드(Ge2Sb2Te5)'라는 상(相)변화 물질이 비결정질 상태에서 결정질 상태로 변화될 때 1비트(bit)를 얻는 방식으로 동작하는 메모리다.
전원이 꺼져도 저장된 데이터가 사라지지 않는 비휘발성과 고속ㆍ고집적화가 장점인 반면, 쓰기속도가 상대적으로 느린 것은 단점으로 꼽힌다.
삼성전자는 P램의 고집적화를 위해 독자기술인 '화학적 확산처리 기술'로 셀(Cell) 크기를 줄인 뒤 축소된 셀안에서 저전력 동작이 가능하도록 해 세계 최대용량 P램 제품 개발에 성공했다고 말했다.
이 제품은 기존 설비로도 제조할 수 있고 제조공정도 종전의 메모리 반도체보다 단순해 원가경쟁력이 우수하다.
또 △2.5V 저전압 동작 △쓰기속도 1백20나노초(1ns는 10억분의 1초) 및 읽기속도 60ns △플래시메모리 대비 1천배 이상의 내구성 △85도에서 2년 이상 데이터보존 등의 특성을 갖고 있다.
삼성전자는 그동안 주요 반도체 업체들이 P램 연구작업을 벌여 왔지만 아직까지 기술개발 단계에 머물고 있으며 시제품 개발은 이번이 처음이라고 전했다.
이에 따라 P램 F램(강유전 메모리) M램(강자성 메모리) 등 차세대 메모리 시장에서도 선두에 나설 수 있을 것으로 삼성전자는 기대했다.
삼성전자는 제품의 신뢰성과 특성 개선작업을 벌여 오는 2006년 차세대 메모리를 상용화할 계획이다.
장경영 기자 longrun@hankyung.com
64Mb P램은 지금까지 나온 차세대 메모리 반도체중 최대용량으로 고집적화에 어려움이 있었던 차세대 메모리의 한계를 극복한 획기적 제품이라고 삼성전자는 설명했다.
P램은 '게르마늄 안티몬 텔룰라이드(Ge2Sb2Te5)'라는 상(相)변화 물질이 비결정질 상태에서 결정질 상태로 변화될 때 1비트(bit)를 얻는 방식으로 동작하는 메모리다.
전원이 꺼져도 저장된 데이터가 사라지지 않는 비휘발성과 고속ㆍ고집적화가 장점인 반면, 쓰기속도가 상대적으로 느린 것은 단점으로 꼽힌다.
삼성전자는 P램의 고집적화를 위해 독자기술인 '화학적 확산처리 기술'로 셀(Cell) 크기를 줄인 뒤 축소된 셀안에서 저전력 동작이 가능하도록 해 세계 최대용량 P램 제품 개발에 성공했다고 말했다.
이 제품은 기존 설비로도 제조할 수 있고 제조공정도 종전의 메모리 반도체보다 단순해 원가경쟁력이 우수하다.
또 △2.5V 저전압 동작 △쓰기속도 1백20나노초(1ns는 10억분의 1초) 및 읽기속도 60ns △플래시메모리 대비 1천배 이상의 내구성 △85도에서 2년 이상 데이터보존 등의 특성을 갖고 있다.
삼성전자는 그동안 주요 반도체 업체들이 P램 연구작업을 벌여 왔지만 아직까지 기술개발 단계에 머물고 있으며 시제품 개발은 이번이 처음이라고 전했다.
이에 따라 P램 F램(강유전 메모리) M램(강자성 메모리) 등 차세대 메모리 시장에서도 선두에 나설 수 있을 것으로 삼성전자는 기대했다.
삼성전자는 제품의 신뢰성과 특성 개선작업을 벌여 오는 2006년 차세대 메모리를 상용화할 계획이다.
장경영 기자 longrun@hankyung.com