삼성전자가 세계최초로 60나노 8기가 낸드플래시 메모리와 80나노 2기가 DDR2 D램 개발에 성공했다고 한다. 참으로 반가운 소식이고,자랑할 만한 일이다. 특히 메모리 반도체 기술을 크게 끌어올렸을 뿐 아니라 이 분야에서 우리나라의 시장 지배력을 더욱 공고히 할 수 있는 성과라는 점에서 그 의미는 더욱 크다고 본다. 이번에 개발한 낸드플래시는 집적도를 2배로 높였을 뿐 아니라 반도체 설계 부문에서 차세대 기술로 불리는 60나노기술을 상용화해 최근 65나노기술을 발표한 인텔을 따돌리고 기술우위를 확보한 것이다. DDR2 D램의 경우는 '2기가급 대용량 D램은 65나노 이하 첨단기술을 적용해야 한다'는 통설을 뒤엎고 설계 및 공정기술을 통해서도 용량확대가 가능하다는 사실을 입증한 것이어서 삼성전자의 첨단기술 진가를 재확인했다고 볼 수 있다. 삼성전자가 최첨단 제품을 잇따라 개발할 수 있었던 것은 적극적 연구개발 투자를 통해 제품설계 공정개발 등 반도체 경쟁력을 좌우하는 각 분야에서 독보적인 위상을 확보한 때문임은 두말할 필요가 없다. 이번 DDR2 D램만 해도 3차원 트랜지스터 기술 등 많은 신개념 기술이 적용됐다고 한다. 기술에 대한 투자가 얼마나 중요한지를 단적으로 입증해주는 결과다. 이번 성과로 삼성전자는 경쟁사들과의 기술격차를 1년 이상으로 더욱 확대하는 한편 제조원가도 크게 떨어뜨릴 수 있게 됐다고 한다. 메모리 반도체 및 관련제품 분야 세계시장의 지배력을 한층 강화하게 될 것이란 이야기다. 하지만 현재에 만족하고 자만할 일은 아니다. 기술적으로 앞서가면 갈수록 위협을 느낀 경쟁업체들이 합종연횡식 연대를 통해 추격과 견제를 강화할 것이 불을 보듯 뻔하다. 따라서 시장의 변화를 부단히 예측하고 대비하면서 미래의 주력제품을 조기에 발굴해 성장동력을 유지하는데 최선의 노력을 다해야 할 것이다. 특히 차세대 기술 선점과 관련된 연구개발 투자는 더욱 과감히 확대할 필요가 있다.