삼성전자, 1Gb급 퓨전메모리 개발
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삼성전자가 세계 최초로 1기가비트(Gb)급 퓨전메모리를 개발하고 경쟁품목인 '노어 플래시 사냥'에 나섰다.
삼성전자는 90나노 공정을 적용해 낸드 플래시,S램 및 로직을 하나의 칩에 집적한 1기가비트 원낸드(OneNAND) 퓨전메모리를 개발했다고 10일 밝혔다.
1기가비트 원낸드는 노어 플래시보다 67배 빠른 초당 10MB(메가바이트)의 쓰기 속도와 낸드 플래시보다 4배 빠른 초당 1백8MB의 읽기 속도 성능을 갖췄다.
특히 기존 낸드 플래시의 가장 큰 약점이었던 읽기 속도에서 노어 플래시와 똑같은 성능을 구현하게 돼 휴대폰 PDA(개인휴대단말기) 등에서 노어 플래시를 대체할 수 있을 것으로 예상된다.
이 제품은 낸드 플래시에 저장된 데이터를 다수의 블록 단위로 지울 수 있는 '멀티 블록삭제'기능도 갖추고 있어 읽기·쓰기는 물론 지우기도 고속으로 처리할 수 있다.
이 제품을 채택하면 휴대폰 부팅시간이 크게 줄고 5백만 화소급 사진 60장을 연속촬영할 수 있다.
삼성전자 관계자는 "1기가비트 원낸드는 추가투자 없이 기존 낸드 플래시 설비로 양산할 수 있어 원가 경쟁력도 뛰어나다"며 "향후 휴대폰에 주로 쓰이는 노어 플래시를 급속히 대체하며 3세대 휴대폰을 중심으로 수요가 급증할 것으로 기대된다"고 말했다.
장경영 기자 longrun@hankyung.com