삼성전자가 세계 최초로 회로선 폭 70나노(1나노는 10억분의 1m) 공정 기술을 적용한 4기가비트(Gb)급 낸드플래시 메모리 양산에 돌입했다. 또 플래시 메모리 전용 300mm 라인을 본격 가동하기 시작,제품 출하량을 크게 늘리기로 했다.


삼성전자는 30일 황창규 반도체 총괄 사장과 김재욱 제조 담당 사장 등 300여명의 임직원이 참석한 가운데 70나노 4Gb 낸드플래시 양산 출하식을 가졌다.


이 제품은 업계 최초로 70나노 공정을 적용해 양산하는 제품으로 셀 하나에 한 개의 데이터를 저장하는 'SLC(Single Level Cell)' 기술을 적용한다. 데이터를 저장하는 셀(Cell) 면적은 업계 최소 크기인 0.025제곱마이크로미터로,성인 머리카락 단면 평균 면적의 31만분의 1에 불과한 것이다. 이로써 삼성전자는 플래시 메모리 분야에서 1Gb,2Gb에 이어 이번 4Gb 제품에 이르기까지 3세대 연속 세계 최초 양산에 성공하는 기술력을 과시했다.


삼성전자는 또 이날 업계의 첫 플래시 메모리 전용 300mm 라인인 14라인의 가동을 시작했다. 14라인은 월간 90나노 2Gb 플래시 메모리 4000장 양산을 시작으로 다음달 말에는 70나노 공정을 적용한 4Gb 제품을 생산할 계획이다.


300mm 웨이퍼는 기존 200mm에 비해 칩 생산량이 2.25배 많으며 70나노 공정은 90나노 공정에 비해 원가 경쟁력이 약 65% 높기 때문에 플래시 메모리 분야의 경쟁력은 더욱 강화될 것이라고 삼성전자는 설명했다. 올해 낸드플래시 시장은 총 80억달러 규모로 예상되며 2008년까지 130억달러로 커질 전망이다.


조일훈 기자 jih@hankyung.com