삼성 90나노 기가급 D램 첫 양산

삼성전자가 세계 최초로 90나노 공정을 이용한 기가급 D램 양산을 시작했다. 삼성전자는 지난해 9월 90나노 공정을 적용한 512메가비트(Mb) D램을 생산한 데 이어 23일 1기가비트(Gb) DDR2 D램의 본격 양산에 들어갔다. 90나노 공정은 0.11마이크로미터(㎛)급 공정에 비해 생산성을 40%가량 높일 수 있어 기가급 대용량 D램에는 필수적인 차세대 첨단 공정기술로 꼽힌다. 삼성전자는 90나노 공정을 적용해 512메가비트 DDR 및 DDR2,그래픽 DDR3를 양산한 데 이어 기가급 D램을 양산함에 따라 D램 시장에서의 경쟁우위를 확고히 할 수 있게 됐다고 설명했다. 삼성전자는 올 하반기까지 90나노 1기가 D램을 월 100만개씩 생산할 수 있는 체제를 갖추고 전체 메모리반도체 공정 가운데 90나노 공정 비중을 15%에서 올 연말까지 40%로 확대할 계획이다. 이태명 기자 chihiro@hankyung.com