차세대 반도체로 주목받고 있는 M램(강자성 메모리반도체) 상용화의 걸림돌이던 높은 전력 소모를 해소하는 기술이 국내 연구진에 의해 개발됐다. 김영근 고려대 교수팀은 니켈 철 실리콘 붕소 원소를 결합해 M램 자기장의 균일성을 확보해 전력 소모를 획기적으로 줄이면서도 고집적화를 이룰 수 있는 기술을 개발했다고 11일 밝혔다. 이에 따라 고집적 M램 제작의 돌파구가 마련되는 등 실용화에 큰 전기가 이뤄질 것으로 기대된다. M램은 자기장의 성질을 이용,데이터를 저장하는 메모리소자로 고속 정보처리가 가능할 뿐 아니라 고집적화 할 수 있는 이점이 있다. 이미 IBM-인피니온(미국-독일 공동연구),모토로라(미국),도시바-NEC(일본),삼성전자(한국) 등 세계 유명 반도체업체들이 상용화를 위한 경쟁을 벌이고 있다. 그러나 기존 M램 소자들은 자기장이 균일하지 못해 불규칙하게 배열돼 오작동이 자주 발생했으며 전력낭비가 심했다. 연구팀은 붕소 원소를 활용,자기장의 저항 간격을 일정하게 했으며 소자 간 폭도 줄이는데 성공했다. 오춘호 기자 ohchoon@hankyung.com