삼성전자의 256Mb P램 개발은 향후 차세대 메모리반도체 시장에 지각변동을 예고하고 있다. 기존의 D램 낸드플래시 노어플래시 등 주요 메모리반도체를 능가하는 제품이 상용화 단계에 접어들었다는 점 때문이다. 당장 삼성전자의 256Mb P램이 내년 이후 상용화에 들어갈 경우 노어플래시 시장을 잠식할 것으로 전망된다. 앞으로 기가비트(Gb)급 이상의 대용량화에 성공할 경우 장기적으로는 낸드플래시와도 경합을 벌일 것으로 기대되고 있다. 사실 반도체 업체들은 휴대폰 디지털카메라 MP3플레이어 등이 다기능·고용량화되면서 대용량 정보저장과 빠른 데이터 처리속도를 갖춘 반도체 개발에 주력해 왔다. 차세대 메모리 반도체 기술을 선점,향후 10∼20년간 시장 주도권을 장악하기 위해서다. 대표적인 차세대 메모리 제품이 P램 F램 M램이다. 이들 제품의 특징은 전원이 꺼진 상태에서도 데이터를 저장할 수 있는 플래시메모리의 장점과 데이터 처리 속도가 빠른 D램의 장점을 모두 갖췄다는 것.이들 차세대 메모리 반도체 중 가장 먼저 상용화 단계에 접어든 제품은 'P램'이다. P램은 '게르마늄 안티몬 텔룰라이드'라는 물질이 일정 온도에서 비결정질에서 결정질로 바뀌는 특성을 이용해 개발된 메모리다. 삼성전자가 지난해 64Mb P램을 개발한 데 이어 올해 256Mb를 개발했으며 마이크론과 인피니언 등도 개발에 박차를 가하고 있다. 'F램'은 전기를 흘려주면 자석처럼 플러스와 마이너스 전극을 띠게 되는 '강유전체'란 물질을 소재로 만든 메모리 반도체다. D램 수준의 빠른 동작속도와 낮은 동작 전압을 갖추고 있을 뿐 아니라 플래시메모리보다 10배 이상 빠른 데이터 저장·처리 속도를 낼 수 있다는 게 F램의 특징.미국의 램트론사가 지난 95년 세계 최초로 64Kb 제품을 양산했으며 삼성전자는 2002년 32Mb 제품을 개발한 상태다. 이태명 기자 chihiro@hankyung.com