삼성전자가 세계 최초로 70나노 공정을 적용한 512메가비트 DDR2 D램 개발에 성공했다. 이로써 삼성전자는 100·90·80나노 D램에 이어 70나노 D램도 가장 먼저 개발함으로써 'D램 선두주자'의 입지를 더욱 굳히게 됐다. 삼성전자는 13일 70나노 DDR2 D램을 업계 최초로 개발,내년 하반기 중 본격 양산에 돌입할 계획이라고 밝혔다. 70나노 공정은 반도체 회로 선폭을 머리카락의 1400분의 1 두께로 제작할 수 있는 극미세 공정기술.이 공정을 이용해 D램을 만들 경우 집적도를 높일 수 있고 제품 크기는 더욱 줄일 수 있다. 삼성전자는 앞서 2001년 100나노,2002년 90나노,2003년 80나노 공정을 세계 최초로 개발했었다. 회사 관계자는 "지난해 업계에서 가장 먼저 90나노 D램을 양산한 데 이어 차세대 70나노 기술도 먼저 개발함으로써 업계 최고의 기술력을 확보하게 됐다"고 말했다. 특히 이번 70나노 D램은 기존 90나노 D램과 비교할 때 제품 생산성을 두배가량 높일 수 있으며 동작전압도 1.8볼트로 크게 낮출 수 있다. 따라서 3세대 휴대폰 및 차세대 게임기 등 첨단 모바일기기에 많이 쓰일 것으로 회사측은 전망했다. 삼성전자는 현재 양산 중인 90나노 D램에 이어 80나노 D램은 올 하반기부터,70나노 D램은 내년 하반기부터 각각 본격 양산할 계획이다. 이태명 기자 chihiro@hankyung.com