삼성전자, D램ㆍ낸드플래시 라인증설.. 7868억 신규투자

삼성전자는 19일 경기 화성과 기흥의 D램·낸드플래시 라인 증설을 위해 7868억원을 신규 투자키로 했다고 밝혔다. 이번 투자는 화성공장의 D램 라인인 10∼13라인 중 일부의 공정을 개선하고,기흥공장의 300mm 낸드플래시 전용 라인인 14라인의 생산 규모를 확대하기 위한 것이라고 삼성전자측은 설명했다. 특히 이번 투자로 기흥 14라인은 현재 월 4000장인 생산 규모를 최대 월 1만장 이상으로 늘릴 수 있을 것으로 삼성전자는 기대하고 있다. 삼성전자는 이번 투자를 통해 올 연말까지 관련 설비를 도입한 뒤 내년부터 새 공정을 적용해 양산에 들어갈 계획이다. 삼성전자의 이번 투자는 최근 미국의 세계 1위 반도체 업체인 인텔이 마이크론테크놀로지와 손잡고 낸드플래시 사업에 본격 진출하는 등 치열해지는 국제 경쟁에서 확고한 시장 우위를 다지기 위한 포석으로 풀이된다. 회사 관계자는 "더욱 미세한 나노(nano) 공정을 도입하기 위해 해마다 설비를 업그레이드해 왔다"며 "이번 투자는 꾸준히 확대되고 있는 낸드플래시 시장 상황을 감안한 전략적 투자"라고 설명했다. 이태명 기자 chihiro@hankyung.com