삼성전자가 세계 D램 업계 최초로 80나노 공정을 이용한 제품 양산을 시작했다. 삼성전자는 최근 기존 90나노 공정에 비해 생산성을 50%가량 높일 수 있는 80나노 공정을 적용한 512메가비트(Mb) DDR2 D램 양산을 세계 최초로 시작했다고 13일 밝혔다. 이번 80나노(1나노는 10억분의 1m) 공정은 2003년 9월 삼성전자가 세계 최초로 개발한 최첨단 공정이다. 기존 주력공정인 90나노 공정에 비해 반도체의 회로선 폭을 최소화할 수 있어 제품 생산능력을 50%가량 높일 수 있다. 삼성전자는 이번 80나노 공정 양산으로 올해 수요가 급증하고 있는 DDR2 D램 생산확대는 물론 DDR3 등 차세대 D램 양산에 있어 시장 지배력을 확고히 할 것으로 기대했다. 회사 관계자는 "2003년 업계 최초로 100나노 공정을 통해 D램 양산을 시작한 이후 2004년 90나노에 이어 이번에 80나노 D램 양산에 돌입하게 됐다"며 "이로써 경쟁업체에 비해 원가경쟁력을 한층 강화할 수 있게 됐다"고 설명했다. 삼성전자는 80나노 공정을 올해 주력 제품인 512Mb DDR2 D램에 우선 적용하고 향후 다른 D램 제품에도 확대 적용할 방침이다. 또 80나노에 이어 올 하반기부터는 70나노 미세공정을 이용한 제품을 양산할 계획이다. 이태명 기자 chihiro@hankyung.com