삼성전자가 미국 텍사스 오스틴에 있는 반도체 공장을 증설한다.

삼성전자는 14일 이사회를 열고 올해 2억2000만달러를 들여 오스틴 사업장에 12인치(300mm웨이퍼) 반도체 팹(fab)을 짓는 방안을 확정했다고 밝혔다.

새로 짓는 팹은 내년 하반기 양산을 시작하며 양산규모는 월 3만장 안팎(웨이퍼 투입기준)이 될 것으로 보인다.

신규 팹에서 낸드플래시와 D램 중 어떤 제품을 양산할지는 올 연말께 확정된다.

삼성전자 관계자는 "미국 현지에 최첨단 공정인 12인치 팹을 지음으로써 반도체 양산능력을 높이고 제품 경쟁력을 확보하기 위해 이번 투자를 결정했다"고 설명했다.

이번 오스틴 반도체 팹 증설로 삼성전자는 국내 16개 라인,미국 2개 라인,중국 1개 라인(조립라인) 등 총 19개의 팹을 확보하게 됐다.

특히 첨단 공정인 12인치 팹은 경기도 화성 12·13라인과 기흥 14라인(낸드플래시 전용),S라인(시스템LSI전용) 등 모두 다섯 곳을 갖추게 된다.

삼성전자는 이번 투자와는 별도로 2012년까지 총 330억달러를 들여 화성에 반도체 라인을 증설할 계획이다.

한편 삼성전자는 이날 공시를 통해 오는 18일부터 7월17일까지 보통주 260만주와 우선주 40만주 등 총 300만주의 자사주를 매입키로 했다고 발표했다.

이는 1조8000여억원에 달하는 규모다.

업계는 "삼성전자의 이번 자사주 매입은 다소 실망스러운 1분기 실적에 따른 시장의 충격을 상쇄시키는 효과가 있을 것"이라고 전망하고 있다.

이태명 기자 chihiro@hankyung.com