삼성전자가 기존 낸드플래시 메모리 반도체와는 구조가 완전히 다른 새로운 낸드플래시를 개발했다.

1971년 처음 개발돼 지난 35년간 교과서로 여겨져온 인텔의 낸드플래시 제조 기법은 역사의 뒤안으로 밀려나고 삼성이 주도하는 '반도체 제3의 물결'이 일기 시작한 것이다.

삼성전자는 11일 전기를 부도체가 아닌 도체에도 저장할 수 있다는 발상의 전환을 통해 'CTF(Charge Trap Flash)'라는 반도체 제조기술을 세계 최초로 상용화했다고 발표했다.

삼성은 이 기술을 앞세워 그동안 세계 반도체 업계에서 불가능할 것으로 여겨져온 50나노 미만의 공정기술을 개발하는 데 성공,이날 40나노 제조공정을 이용한 32기가비트급 낸드플래시를 세계 최초로 선보였다.

황창규 반도체총괄 사장은 "CTF 기술이 없다면 세계의 어떤 업체도 50나노 미만의 공정기술을 적용해 반도체를 생산할 수 없다"며 "특히 이 기술은 앞으로 20나노 공정에 128기가 플래시메모리를 개발하는 데도 그대로 적용할 수 있어 낸드플래시의 대용량화에 결정적인 기여를 할 것"이라고 설명했다.

CTF 기술은 1971년 비휘발성 메모리를 처음 개발한 이후 35년간 적용돼온 이른바 '플로팅 게이트(Floating Gate)' 기술의 한계를 극복한 혁신적인 기술이다.

통상 전기가 흐를 수 있는 도체에 정보를 저장하는 반도체와 달리 삼성이 자체 개발한 부도체 신물질인 '타노스'에 전기를 저장토록 해 반도체 소자의 크기와 부피를 획기적으로 줄인 제품이다.

삼성전자는 또 지난해 50나노 16기가 낸드플래시 개발에 이어 올해 CTF 기술로 40나노 32기가 낸드플래시를 개발함으로써 "반도체 집적도는 1년6개월 만에 2배로 늘어난다"는 '무어의 법칙'을 깨고 황 사장이 발표한 '메모리 신성장론'을 7년 연속 입증하는 데 성공했다.

이번에 개발한 32기가비트 낸드플래시 16개를 붙여 64기가바이트 메모리카드로 제작하면 고해상도 사진 3만6000장이나 영화 40편,세계 5대양 6대주의 지리정보,일간지 400년치 분량의 정보를 저장할 수 있다.

조일훈·유창재 기자 jih@hankyung.com