삼성전자가 'CTF(Charge Trap Flash) 기술'을 처음 적용해 개발한 40나노 32기가 낸드플래시는 손톱만한 칩 안에 328억개(세계 인구 65억명의 5배)의 트랜지스터 셀을 집적하게 된다.

이 낸드플래시를 이용하면 최대 64기가 바이트급의 메모리카드를 제작할 수 있다.

이 용량이면 전 세계 5대양 6대주를 망라하는 내비게이션용 초정밀 교통지도를 한 장의 메모리카드에 저장할 수 있다.

또 이 카드 열 장이면 우리나라 국회도서관이 소장하고 있는 책 220만권 분량의 정보를 저장할 수 있어 '손안의 도서관 시대'가 도래한다고 황창규 사장은 설명했다.

이 밖에 △사진으로는 3만6000장(최고 해상도 기준) △영화 40편 이상의 동영상 △MP3 음악파일 1만6000곡 △일간신문 400년치 분량의 정보를 저장할 수 있다.

삼성전자는 이날 32기가 낸드플래시와 함께 세계 최초로 개발에 성공한 차세대 메모리 512Mb급 P램과 신개념 하이브리드 드라이브용 SoC(System on Chip)도 선보였다.

P(Phase)램은 램과 플래시 메모리의 장점을 차용한 차세대 메모리로 '퍼펙트 메모리'라는 별칭을 갖고 있다.

데이터 저장시 기존 데이터를 지우지 않고 직접 쓸 수 있어 프로그램 속도가 기존 플래시와 비교해 30배나 빠르다.

삼성은 2008년부터 이 제품을 상용화할 계획이다.

또 하이브리드 드라이브용 SoC는 기존 하드디스크 부팅 방식에서 탈피,메모리에서 부팅함으로써 부팅 시간을 10초 이상 단축했다.

드라이브 전력소모도 80%나 줄였다.

유창재 기자 yoocool@hankyung.com