테라급 등 차세대 초고집적 반도체의 최대 난제로 꼽히는 높은 전력소비에 따른 오작동을 막을 수 있는 신기술을 국내 연구진이 개발했다. 하나의 전자가 반도체 논리회로 위에서 움직이는 방식이다.

충북대 최중범 교수팀은 10나노미터 실리콘 단전자 소자(SET)를 기반으로 테라(1조분의 1)비트급 고집적 실리콘 반도체 논리회로의 핵심 공정기술인 '낸드 및 노어 논리회로 온칩 집적 기술'을 세계 최초로 개발했다고 16일 밝혔다.

반도체는 집적도를 높이면 높일수록 움직이는 전자도 따라서 증가(1비트 저장에 64메가디램의 경우 전자 100만개)해 전력 소모가 급속히 늘어난다. 이에 따라 칩 자체 온도가 올라가 오작동을 일으키거나 아예 칩이 타버리기도 한다는 것이 최 교수의 설명이다.

연구팀은 독자 기술로 개발한 10나노급 단전자를 이용한 낸드 및 노어 논리 회로를 구성해 데이터를 처리할 수 있도록 웨이퍼상에 공정 기술을 개발,전력소비량을 현재 밀리와트(mW)에서 마이크로와트(μW)급 수준으로 낮췄다고 말했다.

연구팀은 이 공정 기술을 이용하면 기존 실리콘 반도체라인을 활용하면서 초고집적 반도체 개발이 가능하다고 덧붙였다.

오춘호 기자 ohchoon@hankyung.com