삼성전자가 올해도 반도체 LCD 등에 공격적인 투자를 집행한다.

또 미래 핵심기술 개발을 위한 연구·개발(R&D)분야에도 지난해보다 10% 이상 늘어난 6조원 이상을 투입한다.

삼성전자는 이를 통해 환율하락과 글로벌 경쟁심화 등의 위기상황을 극복해낼 수 있는 경쟁우위를 확보한다는 전략이다.

삼성전자는 올해 본사 기준으로 시설투자에 8조1000억원,R&D 투자에 6조1400억원을 각각 집행할 계획이다.

올해 R&D 투자는 지난해(5조5800억원)에 비해 10%가량 증가한 것이다.

시설투자 규모는 지난해 10조100억원에 비해 19% 줄었지만 1조원가량을 지난해 10월에 선(先)집행했다는 점을 감안하면 사실상 올해 시설투자 규모는 지난해와 같은 규모다.

특히 올해 미국 텍사스 오스틴 반도체공장에 1조1000억원을 투자하고,LCD패널 자회사인 S-LCD에 5000억원을 투자하는 것을 감안하면 올해 총 투자 규모는 9조7000억원에 달할 전망이다.

부문별 투자액을 보면 우선 반도체에 5조4400억원(메모리 4조8200억원,시스템LSI 400억원)이 투입된다.

D램에서는 80나노 공정을 대체할 60나노 D램 라인을 확대하고,낸드플래시 분야에서는 지난해 양산을 시작한 60나노에 이어 50나노 공정에 집중투자할 계획이다.

이와 함께 올해 LCD패널 사업에 1조4100억원을 투자해 40인치 이상 패널 생산량을 지난해(510만대) 대비 82%가량 늘린 930만대로 끌어올릴 방침이다.

이밖에 삼성전자는 정보통신 분야에 5600억원,디지털미디어 및 생활가전 분야에 6900억원 등을 각각 투자하게 된다.

이태명 기자 chihiro@hankyung.com