인텔, 차세대 트랜지스터 기술 개발
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세계 최대 반도체회사인 인텔은 전력소비를 줄이고 성능을 높인 획기적인 차세대 트랜지스터 기술을 개발했다고 발표했다.
IBM도 새로운 트랜지스터 기술을 개발했다고 밝혀 반도체업체 간 신기술 경쟁이 더욱 가열되게 됐다.
인텔은 지난 27일(현지시간) 캘리포니아주 산타클라라에 있는 본사에서 새로운 트랜지스터로 만들어진 실용모델을 직접 시연했다.
인텔은 기존에 사용하던 칩에 '이산화규소' 대신 '하프늄'이란 금속을 사용했다.
또 실리콘게이트 전극을 메탈게이트 전극으로 바꿨다.
이 기술을 시험한 결과 종전 기술보다 필요한 전력량은 30% 절감되고 성능은 20% 향상됐다고 인텔은 밝혔다.
인텔은 올해 내놓을 45나노미터(1나노미터=10억분의 1m) 디자인에 새로운 트랜지스터 기술을 적용할 예정이다.
이 칩은 컴퓨터뿐만 아니라 휴대폰 등 각종 가전기기에도 폭넓게 사용된다.
이렇게 되면 컴퓨터의 성능이 향상된다.
또 휴대폰 등의 용량이 늘어나 비교적 장시간의 동영상도 휴대폰을 통해 볼 수 있게 된다.
고든 무어 인텔 공동 창업자는 "이번 기술개발은 트랜지스터 기술 40년 역사상 가장 큰 변화"라고 의미를 부여했다.
전문가들은 "그동안 트랜지스터에 사용되던 이산화규소는 누전을 유발해 더 많은 전력을 필요로 하고 발열량이 증가한다는 치명적인 약점을 갖고 있었다"며 "인텔의 신기술은 이런 한계를 극복한 데 의미가 있다"고 밝혔다.
인스테이트의 짐 맥그레거 애널리스트는 "인텔은 다른 칩 회사들에 비해 최소 6개월 정도 앞서 있다"고 평가했다.
IBM도 실리콘게인트 대신 메탈게이트를 사용하는 기술을 개발,내년부터 일부 칩에 사용할 계획이다.
그러나 이산화규소 대신 어떤 금속을 사용했는지는 공개하지 않았다.
뉴욕=하영춘 특파원 hayoung@hankyung.com
IBM도 새로운 트랜지스터 기술을 개발했다고 밝혀 반도체업체 간 신기술 경쟁이 더욱 가열되게 됐다.
인텔은 지난 27일(현지시간) 캘리포니아주 산타클라라에 있는 본사에서 새로운 트랜지스터로 만들어진 실용모델을 직접 시연했다.
인텔은 기존에 사용하던 칩에 '이산화규소' 대신 '하프늄'이란 금속을 사용했다.
또 실리콘게이트 전극을 메탈게이트 전극으로 바꿨다.
이 기술을 시험한 결과 종전 기술보다 필요한 전력량은 30% 절감되고 성능은 20% 향상됐다고 인텔은 밝혔다.
인텔은 올해 내놓을 45나노미터(1나노미터=10억분의 1m) 디자인에 새로운 트랜지스터 기술을 적용할 예정이다.
이 칩은 컴퓨터뿐만 아니라 휴대폰 등 각종 가전기기에도 폭넓게 사용된다.
이렇게 되면 컴퓨터의 성능이 향상된다.
또 휴대폰 등의 용량이 늘어나 비교적 장시간의 동영상도 휴대폰을 통해 볼 수 있게 된다.
고든 무어 인텔 공동 창업자는 "이번 기술개발은 트랜지스터 기술 40년 역사상 가장 큰 변화"라고 의미를 부여했다.
전문가들은 "그동안 트랜지스터에 사용되던 이산화규소는 누전을 유발해 더 많은 전력을 필요로 하고 발열량이 증가한다는 치명적인 약점을 갖고 있었다"며 "인텔의 신기술은 이런 한계를 극복한 데 의미가 있다"고 밝혔다.
인스테이트의 짐 맥그레거 애널리스트는 "인텔은 다른 칩 회사들에 비해 최소 6개월 정도 앞서 있다"고 평가했다.
IBM도 실리콘게인트 대신 메탈게이트를 사용하는 기술을 개발,내년부터 일부 칩에 사용할 계획이다.
그러나 이산화규소 대신 어떤 금속을 사용했는지는 공개하지 않았다.
뉴욕=하영춘 특파원 hayoung@hankyung.com