삼성전자가 세계 최초로 '60나노 D램' 양산시대를 열었다.

삼성전자는 1일 초미세 기술인 60나노급 공정을 적용한 1기가 DDR2 D램을 본격 양산한다고 밝혔다.

현재 세계 반도체업계의 주력 공정은 80나노와 90나노여서 60나노 공정 양산체제를 갖추기는 이번이 처음이다.

삼성전자는 지난해 3월 80나노 공정을 이용한 512Mb D램을 세계 최초로 양산한 데 이어,이보다 2세대 앞선 60나노 공정을 처음 도입함으로써 경쟁업체보다 최소 1년가량 앞선 기술경쟁력을 갖추게 됐다.

이번 60나노 공정은 기존 80나노 공정에 비해 칩 생산성이 40％가량 높고,90나노 공정에 비해서는 2배 이상 높다.

이는 반도체 회로를 3차원으로 제작해 집적도를 높일 수 있는 'RCAT'(Recess Channel Array Tr) 기술을 적용,같은 크기의 웨이퍼에서 더 많은 칩을 양산할 수 있기 때문이다.

회사 관계자는 "60나노 D램 양산을 계기로 향후 50나노와 40나노급 제품 개발에서도 업계를 리드할 수 있게 됐다"며 "또한 기가급의 고용량 D램 시대도 본격 개막하게 됐다"고 말했다.

이태명 기자 chihiro@hankyung.com