하이닉스반도체가 최근 반도체 가격 폭락에 따른 실적 악화에 대한 우려를 딛고 올해 사상 처음으로 9조원대의 매출 달성에 도전한다.

이를 위해 중국 우씨공장의 300mm 웨이퍼 전용라인인 'C2' 라인의 생산능력을 월 2만5000장에서 7만5000장으로 대폭 확대하고 상반기중 66나노급 D램,하반기에는 55나노급 공정기술을 적용한 낸드플래시 양산에 들어가기로 했다.

5일 업계에 따르면 하이닉스는 이같은 내용을 골자로 하는 '2007년 경영계획'을 확정,이달말 주주총회에서 발표할 예정이다.

이 계획에 따르면 지난해 창사 이래 최고의 실적을 거뒀던 하이닉스는 올해 매출목표를 작년(7조5690억원)보다 20% 이상 늘어난 9조원대로 책정하고 목표 영업이익도 사상 최고수준인 2조원 이상을 올리기로 했다.

9조원대의 매출을 달성할 경우 하이닉스는 지난 2003년(3조6204억원)이후 불과 4년만에 세배 가까이 외형을 늘리는 폭발적인 성장세를 이어갈 수 있게 된다.

반도체 가격이 예상보다 좋을 경우엔 10조원 달성도 바라볼 수 있을 것으로 보인다.

하이닉스는 매출 확대를 위해 국내 200mm 웨이퍼라인인 M6,M7 등에 대한 보완 투자와 함께 중국내 300mm 라인증설 등에 총 4조4000억원을 투자할 계획이다.

이는 지난해보다 1000억원 늘어난 것이지만 2005년(2조2000억원)에 비해서는 정확하게 두배가 증가한 규모다.

하이닉스는 특히 중국공장에 약 1조5000억원을 투입,C2 라인의 생산능력을 세배로 확장하고 올 3분기부터는 낸드플래시메모리 생산에 착수,올해 중국공장에서만 2조원 이상의 매출을 올리기로 했다.

회사 관계자는 "중국공장 합작선인 ST마이크로가 낸드플래시를 중국에서도 생산해달라는 요청을 해와 긍정적으로 검토중"이라며 "3분기께 수급 상황이 좋아지면 중국공장의 낸드플래시 생산비중을 높일 수도 있다"고 설명했다.

하이닉스는 또 연초부터 지속되고 있는 반도체가격 하락이 목표 달성에 차질을 주지 않도록 공정기술을 대폭 업그레이드하기로 했다.

최근 세계 최초로 60나노급(68나노) 공정을 이용해 D램 생산에 나선 삼성전자의 뒤를 쫓아 올 상반기중 66나노 공정기술을 적용한 1기가 D램 양산에 나서 원가는 줄이고 출하는 늘리는 전략을 구현해나가기로 했다.

이와 함께 3분기중 55나노 공정기술을 적용한 8기가급 낸드플래시 제품을 개발한 뒤 4분기부터는 양산에 들어갈 예정이다.

하이닉스는 또 향후 50나노 이하 공정기술을 개발하는 과정에서 삼성전자가 지난해 40나노 제품을 선보이면서 발표했던 'CTF(Charge Trap Flash)'기술을 적용하는 방안을 검토중이라고 밝혔다.

조일훈 기자 jih@hankyung.com